The Helium (Helios; He) in Taiwan

臺灣的氦氣(Helios; He) 臺灣因為無直接從地層開採的環境或大規模生產氦氣的產能, 故目前臺灣所有的氦氣需求皆仰賴國外進口, 或透過國內半導體大廠建立的循環回收系統來減少對新供料的依賴。
1.	為什麼臺灣不生產氦氣？
l	來源限制：氦氣主要伴生於天然氣井中, 雖然臺灣苗栗等地產有少量天然氣, 但其中氦氣的含量極低, 故不具備工業提取的經濟價值。
l	開採成本：當然也可用深冷液化法(約 -196°C)從空氣中提取氮氣同時兼取氦氣, 然而若依現有技術再來分離不凝結的氦(Helios; He)氣及進行純化, 其實成本甚高猶如相同體積的黃金,  因為空氣中的氦氣濃度極低(約5 ppm),  所以單純為了氦氣而分離空氣並不划算。 因此全球氦氣主要由擁有豐富天然氣資源的國家(如：美國ˎ卡達ˎ俄羅斯ˎ澳洲等)所掌控。
l	波斯灣戰爭影響：卡達官方證實, 由於上週的伊朗最新攻擊所造成的損壞恐要耗費相當多時間才能完全修復, 預估其氦氣的年度出口量將因此減少14%。 Kornbluth氦氣諮詢機構創辦人Phil Kornbluth直言： 「最樂觀的情況是六週內可恢復部分生產, 但目前看來並不樂觀。」
2.	臺灣如何取得氦氣？ 乃透過工業氣體供應商(如：聯華林德ˎ亞東工業氣體 .....)由國際市場輸入：
l	進口來源：根據2024~2025年數據, 目前約60%~70%的氦氣來自卡達, 其餘則來自美國及澳洲。
l	在地加工：進口後的液態氦或高壓氦氣會由國內氣體廠商進行分裝及純化, 以供應半導體企業(臺積電.....等)和醫療(MRI)器材以及精密焊接工業還有科學研究使用。
l	價格概況： 波斯灣戰爭之前, 卡達價格則約590美元/千立方英尺, 俄羅斯進口價約530美元/千立方英尺。
3.	半導體大廠的「在地生產」替代方案 由於氦氣同屬戰略資源, 故臺灣半導體大廠其實已採取以下措施因應以節約成本：
l	回收技術：利用製程氣體回收系統, 回收率可達80%~90%, 即將原本要排出的廢氣重新回收並純化後再行利用。
l	多元來源：臺灣經濟部產業發展署 已協調氣體商增加美國ˎ澳洲等採購比例, 以降低對單一地區(如中東)的依賴。
詳細參考資料 https://en.wikipedia.org/wiki/Helium
編撰：Google AI 編審：J-P 2026/3/23
≈≈≈≈≈≈≈≈≈≈≈ 臺灣產業發展署 026-03-14 11:10 https://www.moea.gov.tw/Mns/populace/news/News.aspx?kind=1&menu_id=40&news_id=122110 近期外界關心「氦氣來源是否受到影響」一事, 經濟部產業發展署今(14)日表示, 國內氦氣供應穩定, 且業者具備多元採購管道, 不致受到單一地區局勢影響。 產發署說明, 氦氣主要是天然氣開採過程中的副產品, 廣泛應用於半導體製造ˎ焊接保護及氣球填充等用途。過去考量採購成本, 國內業者主要向價格較具優勢的中東地區(如：卡達)進口。 經產發署與國內三大氣體供應業者聯繫, 確認目前業者均可透過國際供應體系, 從美國ˎ澳洲等替代來源國購入氦氣, 來源管道暢通, 請產業界安心。 針對外界最為關注的半導體產業需求, 產發署進一步瞭解, 氦氣在半導體製程中作為鍍膜載氣及冷卻使用, 國內半導體大廠製程設備多具備循環回收系統, 氦氣可重複使用, 因此製程可降低氦氣新料的依賴, 並不影響半導體產業的正常運作。 經濟部產發署將與國內三大氣體廠商保持密切聯繫, 持續追蹤氦氣供需情形, 確保我國氦氣供應無虞, 以保障國內產業穩定運作。 發言人：產業發展署鄒宇新副署長 聯絡電話：02-27541255分機2902ˎ0910-316969 電子郵件信箱： ystzou3@ida.gov.tw 業務聯絡人：產業發展署民生化工產業組翁谷松組長 聯絡電話：02-27541255分機2301ˎ0929-107583 電子郵件信箱：ksweng@ida.gov.tw
≈≈≈≈≈≈≈≈≈≈≈ Money DJ 新聞 https://www.moneydj.com/KMDJ/News/NewsViewer.aspx?a=04FBD117-1483-49BF-964C-5EC2C276DB21

Oil transport via the Strait of Hormuz

荷穆茲海峽的石油通道

圖片來源連結
https://fishing-app.gpsnauticalcharts.com/i-boating-fishing-web-app/fishing-marine-charts-navigation.html?title=Strait+of+Hormuz+boating+app#10.1/26.4942/56.6211

注意航道管制

台灣2019年天然氣(LNG)通道
圖片來源：https://magazine.twenergy.org.tw/Cont.aspx?CatID=&ContID=3054

圖片來源：Google Earth

荷穆茲海峽(Strait of Hormuz)是全球最重要的石油運輸通道(約占1/5), 連接波斯灣與阿拉伯海。該地區擁有數個關鍵的石油出口港口與儲運終端, 分布於伊朗﹑阿拉伯聯合大公國(UAE)﹑科威特及沙烏地阿拉伯。  以下為荷姆茲海峽周邊的主要石油港口與終端：
伊朗(Iran)
l	阿巴斯港(Bandar Abbas)：位於海峽北岸, 是伊朗最重要的港口之一; 該區域包含 Hormozan 石油出口終端與阿巴斯港之煉油公司。
l	喀爾格島(Kharg Island)：位於波斯灣之內部靠北方, 是伊朗最主要的原油出口碼頭。
l	賈斯克港(Jask Port)：位於荷穆茲海峽以東(阿曼灣側), 伊朗近年開發此港口以繞過海峽直接出口石油。
阿拉伯聯合大公國(UAE)
l	富吉拉(Fujairah)：位於海峽外的阿曼灣側, 是全球主要的船舶加油中心與石油儲運樞紐。
l	富吉拉石油終端(Fujairah Oil Terminal)：提供大規模原油與燃料油儲存設施。
l	Adco SPM 終端：用於出口阿布達比原油。
l	傑貝阿里港(Jebel Ali)：位於杜拜, 雖然以貨櫃轉運聞名, 但也設有重要的石油產品終端。
l	魯維斯(Ruwais)：阿布達比的主要煉油與石油化工港口。
l	豪爾法坎(Khor Fakkan)：位於海峽外, 作為重要的船舶加油與貨物轉運點。
其他波斯灣沿岸國家 這些港口的出口量大都需通過荷穆茲海峽運往全球：
l	沙烏地阿拉伯：拉斯塔努拉(Ras Tanura)是全球最大的原油出口港。
l	科威特：艾哈邁迪港(Mina Al Ahmadi)與 阿祖爾港(Mina Al Zour)是其核心石油出口設施。
l	卡達：拉斯拉凡(Ras Laffan)是全球主要的液化天然氣(LNG)出口港。
當前局勢整理：
1.	截至 2026年3月7日, 由於地緣政治緊張局勢, 荷穆茲海峽面臨封鎖風險, 多數油輪與貨運公司已暫停或調整航線。
2.	若依據以往歷史經驗, 美國將以軍事力量護航, 並提供其保險及取得收益 …..
編撰：Google AI 編審：J-P 2026/3/10

影響晶片良率的因素

在半導體製造領域, 良率(Yield; 屈服)是決定成本與競爭力的核心指標。 影響良率的因素極其複雜, 通常可以從設計﹑製程材料﹑環境控制﹑以及設備及參數等五大維度來進行探討。

顯微鏡下的晶片

以下是影響晶片良率的主要關鍵因素： 1. 物理缺陷與環境污染(Defect & Contamination) 這是最常見的“硬傷”, 通常會導致晶片出現短路或斷路。 微塵粒子(Particles)： 即使是奈米級的灰塵掉落在晶圓上, 也可能阻斷電路。 這就是為什麼晶圓廠需要極高等級的無塵室(Cleanroom)。 化學污染： 水質中的雜質﹑化學氣體的純度不足, 或是金屬離子污染, 都會改變半導體的電氣特性。 晶圓瑕疵： 原始矽晶圓(Raw Wafer)本身的晶格所存在的缺陷或表面平整度不佳。 2. 製程技術限制(Process Variations) 隨著製程縮減至3nm甚或2nm, 容錯空間變成極小, 微小的波動都會造成失效。 光刻技術(Photolithography)： 曝光時的對準精度(Overlay)或聚焦深度(DOF)若有偏移, 自然導致電路圖形畸變。 蝕刻與薄膜沉積： 蝕刻深度不一或薄膜厚度不均勻, 當然會導致晶片內各點的電阻值或電容值產生差異。 CMP(化學機械平坦化)： 若研磨不夠平整, 當然會影響後續層數的堆疊精度。 3. 設計端的影響(Design for Manufacturing, DFM) 有時候良率低不是工廠的問題, 而是設計上太過於“極限”或“擁擠”。 關鍵區域(Critical Area)： 設計時線路過於密集, 會增加被微塵粒子破壞的機率。 冗餘設計(Redundancy)： 在記憶體(例如SRAM)設計中, 若沒有加入足夠的備用電路(Spare Rows/Cols), 一旦某個單元失效, 則整顆晶片就報廢了。 4. 靜電與電性問題(ESD & Electrical Stress) 靜電放電(ESD)： 在搬運或加工過程中, 靜電可能擊穿薄弱的絕緣層。 天線效應(Antenna Effect)： 在製程中所累積的電荷若無法及時適當釋放, 則其電壓會逐漸升高最終可能會燒毀電晶體的閘極(Gate)。 5. 製作機具的突發狀況 例如突然的電力波動或不可控制的環境震動, 常見實因機具軸承或導軌的磨耗所引起。 一般良率損失的分析表 類  別 主要原因 改善措施 隨機性缺陷 (Random) 灰塵﹑雜質﹑設備故障 提高無塵室等級﹑加強過濾系統 系統性缺陷 (Systematic) 設計不當或製程參數未優化 調整光罩設計(OPC)﹑優化製程配方 參數性失效 (Parametric) 電壓﹑電流或頻率未達標準 統計製程控制(SPC)﹑元件特性分析 其他突發狀況 潛在缺陷 針對缺陷進行專案研究與改善   如何提升良率？ 目前業界主要透過“大數據統計及分析” 以及利用 AI的學習來找出關鍵性變數： WAT(Wafer Acceptance Test) 晶圓驗收測試： 在晶圓完工後進行電性測試, 以確認電晶體的基本參數。 CP(Circuit Probing)電路探測：  對晶圓上的每一顆晶粒(Die)進行針測, 標記壞掉的晶片。 失效分析(Failure Analysis)：  利用掃描電子顯微鏡(SEM) 或透射電鏡(TEM)切開晶片, 觀察故障晶片, 解析到底是在哪一個階層出錯。 採用優質設備(Use Good Equipment)：  當製程機具越先進(例如採用EUV極紫外光技術), 或設備的穩定性良好, 那麼對良率的影響就越顯著。   撰文：Google AI 編審：J-P 2026/2/28