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The Obstruction Case and Troubleshooting in the Piping of Refrigerant System for Air Cooler Type.

冷風式冰機冷媒管道 内 的 堵塞與清除 Machine/Equipment: Refrigerator System Maker/Manufacturer: (General) Type and Model: For R404a Air Cooler Units 民以食為天 , ...

2026年9月2日

CoWoS (2)


CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) 是台積電開發的 2.5D 先進封裝技術, 為當前人工智慧(AI)與高效能運算(HPC)晶片的核心基礎。

它的名稱結合了兩個主要製程步驟:

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CoW(Chip-on-Wafer)

 

先將多顆裸晶(諸如GPUCPU 等處理器)與高頻寬記憶體(HBM)透過微凸塊(Micro-bump)橫向並排﹑堆疊在中介層(Interposer)上進行高密度連接。

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WoS(Wafer-on-Substrate)

 

再將整組中介層模組安裝到封裝基板(Substrate), 最後連接至外部電路。

結構優勢:

縮短晶片與記憶體間的物理距離, 大幅提升資料傳輸頻寬與速度, 同時降低功耗和延遲。

 

CoWoS 的三大類型
若依據「中介層」材質與結構的不同, 分為以下三種技術:

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CoWoS-S(Silicon)

 

採用傳統矽中介層。技術最成熟﹑訊號傳輸最穩且密度極高, 是旗艦級 AI 晶片( NVIDIA Hopper 系列)的主流配置, 但成本較高且尺寸放大時良率較難克服。

 

CoWoS<sup>®</sup>-S

 

台積公司的CoWoS®-S解決方案為超高效能運算應用, 提供最頂尖的封裝技術。晶圓級系統整合技術可在大面積的矽中介層上實現高密度互連佈線與嵌入式深溝槽電容(Embedded Deep Trench Capacitor, eDTC), 在其上方整合邏輯小晶片(Logic Chiplet)與高頻寬記憶體(High-Bandwidth Memory, HBM)等各類功能晶片。CoWoS 2012 年起已投入量產, 其矽中介層(Silicon Interposer)尺寸最高可達 3.3 倍光罩。

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CoWoS-R(RDL)

 

以重分佈層(RDL)聚合物與銅線取代矽中介層。成本較低﹑設計彈性高, 主要應用於網絡通設備或邊緣 AI

 

CoWoS<sup>®</sup>-R

 

CoWoS®-R先進封裝服務藉由多層線路重佈層(Redistribution Layer, RDL)中介層, 連接系統單晶片(System-on-Chip, SoC)/或高頻寬記憶體(High-Bandwidth Memory, HBM)晶片, 2023年起投入量產, 以實現異質整合。RDL中介層由聚合物與銅導線組成, 且相對具有韌性, 能增強C4焊點的完整性, 支援較大尺寸的封裝, 以滿足極其複雜的功能需求。

 

 

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CoWoS-L(Local Silicon Interconnect)

 

結合矽中介層(局部以矽橋 LSI 串聯高速互連) RDL。能支援比 CoWoS-S 更大的封裝尺寸與更多 HBM 堆疊, 是近期高階 AI 晶片( NVIDIA Blackwell 系列)的擴產與採用重點。
CoWoS®-L
先進封裝服務結合線路重佈層(RDL)和高密度嵌入式局部矽基互連(Local Silicon Interconnect, LSI)﹑嵌入式深溝槽電容(eDTC), 以及能夠整合各種嵌入式晶片的優勢協助高效能產品擴展至更大尺寸。

 

CoWoS<sup>®</sup>-L

 

台積首個3.5倍光罩尺寸的CoWoS®-L已於2024年投入生產。緊接著, 為滿足更高封裝性能與 AI 算力需求, CoWoS-L 持續擴大中介層尺寸, 以便在 CoWoS 封裝中整合更多矽晶片(Silicon)與記憶體。
CoWoS®-L
的主要特點包括:
嵌入式局部矽基互連(LSI)晶片透過多層次微米銅導線, 實現高佈線密度的晶粒對晶粒(Die-To-Die)互連。LSI 晶片在各項產品中可具備多種連接架構, 例如:系統單晶片(SoC) SoCSoC 對小晶片(Chiplet)SoC 對高頻寬記憶體(HBM), 並可重複用於多種產品。其對應的金屬類型﹑層數與間距均與 CoWoS®-S 所提供的規格一致。
在正面與背面均具有寬間距的線路重佈層(RDL)模塑中介層, 在傳輸訊號與電源時, 能在高速傳輸時提供低損耗的高頻訊號表現。
具備整合其他元件的能力, 例如可在 SoC 晶粒下方整合獨立的嵌入式深溝槽電容器(eDTC), 以優化電源管理。

 

最新發展與挑戰

尺寸與良率突破:

隨著 AI 晶片搭載更多 HBM, 台積電持續放大 CoWoS 尺寸, 5.5 倍光罩尺寸的 CoWoS 良率已超過 98%, 並計畫在 2028 年推進至 14 倍光罩尺寸。

散熱瓶頸:

封裝尺寸與晶片功耗同步急遽放大, 散熱已成為異質整合的實際瓶頸。
台積電正朝水冷﹑噴射衝擊冷卻及無介面材料(TIM-less)的背面微通道水冷架構終極目標發展。

 

編撰:Google AI
編審:J-P
2026/3/25

編者按:
所有訊息皆取材自網絡, 故難免遭受科技精進和時效性以及訊息量影響而偏頗, 此謹供參考。

 

讀者務請運用個人獨立思考能力自行作出決定, 如因相關訊息招致任何損失或不利; 概與編者及作者無涉。

2026年4月30日

115年度特考報名訊息

The Examination Yuan has released the registration information for the 2026 Special Examinations.

115年度考試院特種考試報名訊息

科目:司法、調查、海巡

報名起訖日期: 2026 4/28 ~ 5/07:1700 
考  試  日  期: 2026/8/08 ~ 8/10

有意報考者請至考選部全球資訊網查詢 .....


詳細參考資料連結:
https://wwwc.moex.gov.tw/main/exam/wFrmExamDetail.aspx?c=115120





2026年4月22日

Oil transport via the Strait of Hormuz

荷穆茲海峽的石油海運

注意水深和航道設施以及航行管制系統

台灣2019年天然氣(LNG)通道
圖片來源:https://magazine.twenergy.org.tw/Cont.aspx?CatID=&ContID=3054


圖片來源:Google Earth

AIS Data on 2026/4/22 13:44
圖片來源: AIS 系統


荷穆茲海峽(Strait of Hormuz)是全球最重要的石油運輸通道(約占1/5), 連接波斯灣與阿拉伯海。該地區擁有數個關鍵的石油出口港口與儲運終端, 分布於伊朗﹑阿拉伯聯合大公國(UAE)﹑科威特及沙烏地阿拉伯。 
以下為荷姆茲海峽周邊的主要石油港口與終端:
伊朗(Iran)
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阿巴斯港(Bandar Abbas):位於海峽北岸, 是伊朗最重要的港口之一; 該區域包含 Hormozan 石油出口終端與阿巴斯港之煉油公司。
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喀爾格島(Kharg Island):位於波斯灣內部靠北方, 是伊朗最主要的原油出口碼頭。

賈斯克港(Jask Port):位於荷穆茲海峽以東(阿曼灣側),
伊朗近年開發此港口以繞過海峽直接出口石油。

阿拉伯聯合大公國(UAE)
富吉拉(Fujairah):位於海峽外的阿曼灣側, 是全球主要的船舶加油中心與石油儲運樞紐。
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富吉拉石油終端(Fujairah Oil Terminal):提供大規模原油與燃料油儲存設施。
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Adco SPM 終端:用於出口阿布達比原油。
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傑貝阿里港(Jebel Ali):位於杜拜, 雖然以貨櫃轉運聞名, 但也設有重要的石油產品終端。
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魯維斯(Ruwais):阿布達比的主要煉油與石油化工港口。
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豪爾法坎(Khor Fakkan):位於海峽外, 作為重要的船舶加油與貨物轉運點。
其他波斯灣沿岸國家
這些港口的出口量大都需通過荷穆茲海峽運往全球: 
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沙烏地阿拉伯:拉斯塔努拉(Ras Tanura)是全球最大的原油出口港。
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科威特:艾哈邁迪港(Mina Al Ahmadi) 阿祖爾港(Mina Al Zour)是其核心石油出口設施。
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卡達:拉斯拉凡(Ras Laffan)是全球主要的液化天然氣(LNG)出口港。 
當前局勢整理:
1.
截至 202637, 由於地緣政治緊張局勢, 荷穆茲海峽面臨封鎖風險, 多數油輪與貨運公司已暫停或調整航線。
2.
若依據以往歷史經驗, 美國將以軍事力量護航奪取控制權, 甚至擊垮伊朗海運能力電力交通水源, 並提供其保險及取得相當收益 …..
但若依當前收益原則, 美國亦有可能反而採取任由伊朗自殺封鎖加重封鎖, 期以達到"自作自受與經濟懲罰"之目的。
當然更值得注意的是, 這些油田必須不斷的產出, 若因滿倉而停產, 那麼將是大災難, 
因為停泵後的重啟工程將非常繁重且相當耗費時日, 一般至少需要3個月甚至半年 .....

編撰:Google AI
編審:J-P
2026/3/10

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